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離子精修儀- TEM 樣品精修

更新時間:2023-11-15
產(chǎn)品型號:Gentle Mill
所屬分類:離子精修儀-TEM樣品精修
描述:Technoorg Gentle Mill 離子精修儀產(chǎn)品專為最終拋光、精修和改善 FIB 處理后的樣品而設(shè)計。 Gentle Mill 型號非常適合要求樣品無加工痕跡、表面幾乎沒有任何損壞的 XTEM、HRTEM 或 STEM 的用戶。 同時,Gentle Mill 還適用于快速減薄凹坑或超薄平面 (< 25 μm) 以及機械拋光樣品。
詳情介紹

Gentle Mill 離子精修儀--用于制備高質(zhì)量 TEM/FIB 樣品的離子束工作站

 

Technoorg Gentle Mill 離子精修儀產(chǎn)品專為最終拋光、精修和改善 FIB 處理后的樣品而設(shè)計。 Gentle Mill 型號非常適合要求樣品無加工痕跡、表面幾乎沒有任何損壞的 XTEM、HRTEM 或 STEM 的用戶。 同時,Gentle Mill 還適用于快速減薄凹坑或超薄平面 (< 25 μm) 以及機械拋光樣品。

 

離子精修儀.jpg

 

產(chǎn)品特色:

  1. 快速、可靠地精修和處理 TEM 和 FIB 樣品

  2.  帶有預(yù)編程的設(shè)置,可進行自動化操作

  3. 可應(yīng)用于工業(yè)環(huán)境中

  4. 直接匹配日立 FIB-STEM/TEM 系統(tǒng) 3D 樣品臺

 

性能參數(shù)

 

低能離子槍(固定型)

  • 離子能量:100 - 2000 eV,連續(xù)可調(diào)

  • 離子電流密度:最大 10 mA/cm2

  •  離子束流:7 - 80 μA,連續(xù)可調(diào)

  •  離子束直徑:750 - 1200 μm (FWHM)電控優(yōu)化的工作氣流

  • 在 2000 eV 離子能量和 30° 入射角下,c-Si 的研磨速率為 28 μm/h

 

樣品臺

  • 切削角度:0° - 40°,每 0.1° 連續(xù)可調(diào)

  • 可進行計算機控制的平面內(nèi)樣品旋轉(zhuǎn)和擺動(從 ±10° 到±120°,每 10° 連續(xù)可調(diào))

  • 可適用的 TEM 樣品的厚度范圍 (30 -200 μm)

 

樣品處理

  • 用于快速樣品交換的真空鎖系統(tǒng)

  • 全機械、無膠裝載

  • 專為 XTEM 樣品設(shè)計的鈦夾和封裝技術(shù)

 

真空系統(tǒng)

Pfeiffer 真空系統(tǒng)配備無油隔膜和渦輪分子泵,配備緊湊的全范圍 Pirani/Penning 真空計

 

供氣系統(tǒng)

  • 99.999% 純氬氣,絕對壓力為 1.3 - 1.7 bar

  • 帶有電子出口壓力監(jiān)測功能的惰性氣體專用壓力調(diào)節(jié)器

  • 工作氣體流量高精準控制

 

成像系統(tǒng)

  • 用于全視覺控制和切削監(jiān)控/終止的 CMOS 相機圖像

  • 高分辨率彩色 CMOS 相機

  • 50 - 400 倍放大范圍的手動變焦視頻鏡頭

 

電腦控制

  •  內(nèi)置工業(yè)級計算機

  • 簡單便捷的圖形界面和圖像分析模塊

  • 通過鼠標點擊或拖動輕松控制所有重要參數(shù)

  • 高度自動化的操作機制,最大限度地減少人工干預(yù)

 

電源要求

100 - 120 V/3.0 A/60 Hz 或 220 - 240 V/1.5 A/50 Hz ? 單相

 

應(yīng)用案例

 

01. Gentle Mill 對在各種 FIB 制備的樣品進行低能量 Ar+ 氬離子研磨顯著降低了受損的非晶表面層的厚度??梢詫崿F(xiàn)對 65 nm 節(jié)點半導(dǎo)體器件進行原子級結(jié)構(gòu)分析。

 

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